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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-FF200R12KE4P
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF200R12KE4PHOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-62MM-1
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 400A
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: IGBT Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: igbt module
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