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Diode: Zener; 0,5W; 3,6V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 2uA


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Diode: Zener; 0,5W; 3,6V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 2uA
Diode: Zener; 0,5W; 3,6V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 2uA
Artikel-Nr.:
     2805-BZX55B3V6-A0G
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BZX55B3V6 A0G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IR Emitter
IR-Led
Infrarot-Diode
Z-Diode
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: DO35
Toleranz: ±2%
Struktur des Halbleiters: einzelne Diode
Z-Spannung: 3,6V
Zenerstrom: 5mA
Leck strom: 2µA
Verlustleistung: 0,5W
Dioden-Typ: Zener
Die Konditionen im Überblick1
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