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STARPOWER GD150HFX65C1S TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 650V, 180A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     139-3549231
Hersteller:
     STARPOWER
Herst.-Nr.:
     GD150HFX65C1S
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 180 A
  • IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 V
  • Verlustleistung: 437 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STARPOWER, GD150HFX65C1S, 3549231, 354-9231
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