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INFINEON FF200R17KE3HOSA1 IGBT, MODUL, N-KANAL, 1.7KV, 310A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-2726125
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF200R17KE3HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: 62mm C
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 125 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 310 A
  • IGBT-Anschluss: Lötfahne
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 V
  • Verlustleistung: 1.25 kW
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FF200R17KE3HOSA1, 2726125, 272-6125
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