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IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-2377249
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF200R12KT4HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 320 A
  • IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 V
  • Verlustleistung: 1.1 kW
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FF200R12KT4HOSA1, 2377249, 237-7249
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