Universal-Transistor, Typ=BC859CE6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=850 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=420, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=30 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=30 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=650 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=330 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=250 MHz, Bauform=SC-59, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101 |
