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| Artikel-Nr.:
108EL-5444635 Herst.-Nr.:
BYV79E-200,127 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 14A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Universal
Diode Typ = Ultraschneller Gleichrichter
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 1.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 30ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 160A
Gleichrichterdioden, WeEn Semiconductors Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AC | Dauer-Durchlassstrom max.: | 14A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Universal | Diode Typ: | Ultraschneller Gleichrichter | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 30ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 160A |
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| Weitere Suchbegriffe: gleichrichterdiode, 5444635, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, WeEn Semiconductors Co., Ltd, BYV79E200,127, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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