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| Artikel-Nr.: 108EL-2207426 Herst.-Nr.: IPG20N10S4L35ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,035 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 16V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Serie = OptiMOS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,035 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 16V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | OptiMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 2207426, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IPG20N10S4L35ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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