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Infineon OptiMOS 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2207372
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB011N04LGATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
PIN-Diode
SMD-Diode
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0011 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = OptiMOS 5
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
180 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
TO-263-7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
7
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0011 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Serie:
OptiMOS 5
Weitere Suchbegriffe: smd diode, 2207372, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IPB011N04LGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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