|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-2207357 Herst.-Nr.:
BSC13DN30NSFDATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 16 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = OptiMOS
Die Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200 V, 250 V und 300 V ist für die harte Kommutierung der Gehäusediode optimiert. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.Verbesserte Robustheit bei harter Kommutierung Optimiertes hartes Schaltverhalten Branchenweit niedrigste R ds(on), Q g und Q rr RoHS-konform - halogenfrei Höchste Systemzuverlässigkeit Senkung der Systemkosten Höchste Effizienz und Leistungsdichte Einfaches Design von Produkten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,13 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | OptiMOS |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 2207357, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, BSC13DN30NSFDATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |