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| Artikel-Nr.:
108EL-2148782 Herst.-Nr.:
AFGHL75T65SQ EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 375 W
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Die Serie on Semiconductor AFGHL ist IGBT, der die optimale Leistung mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten für hocheffiziente Vorgänge in verschiedenen Anwendungen bietet, die keine Spezifikation für Rückgewinnung erfordern.Hohe Strombelastbarkeit Schnelle Schaltgeschwindigkeit Enge Parameterverteilung Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 75 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 375 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor to-247, 2148782, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, onsemi, AFGHL75T65SQ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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