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onsemi Zenerdiode Gemeinsame Anode 2 Element/Chip SMD 33V / 40 W max, SOT-23 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1841109
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     SZMMBZ33VALT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Schutzdiode
Suppressor-Diode
Suppressordiode
Z-Diode
Zenerspannung nom. = 33V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Verlustleistung max. = 40 W
Gehäusegröße = SOT-23
Zenertyp = Bidirektional
Toleranz Zener-Spannung = 5%
Pinanzahl = 3
Prüfstrom = 1mA
Rest-Sperrstrom max. = 50nA
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1mm
Durchlassstrom = 10mA

Das SOT-23-Gehäuse ermöglicht entweder zwei separate unidirektionale Konfigurationen oder eine einfache bidirektionale Konfiguration Peak Reverse Spannungsbereich - 3 V bis 26 V Standard-Zenerdurchschlagsspannungsbereich: 5,6 V bis 33 V. Peak Power - 24 oder 40 Watts @ 1,0 ms (unidirektional) ESD-Schutzart der Klasse N (über 16 kV) gemäß dem Modell des menschlichen Körpers Maximale Klemmspannung bei Peak Pulse Current Niedriger Leckstrom< 5,0 μA Mechanische Eigenschaften: Gehäuse: Vakuumfreies, umspritztes, thermoplastisches Kunststoffgehäuse Oberfläche: Korrosionsbeständige Oberfläche, leicht lötbar Maximale CASE-TEMPERATUR FÜR LÖSCHZWECKE: 260 °C für 10 Sekunden Gehäuse für optimale automatisierte Platinenmontage Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte Erhältlich in 8-mm-Band und Rolle Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Weitere Informationen:
Zenerspannung nom.:
33V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Verlustleistung max.:
40 W
Gehäusegröße:
SOT-23
Zenertyp:
Bidirektional
Toleranz Zener-Spannung:
5%
Pinanzahl:
3
Prüfstrom:
1mA
Rest-Sperrstrom max.:
50nA
Abmessungen:
3.04 x 1.4 x 1mm
Durchlassstrom:
10mA
Weitere Suchbegriffe: Zenerdiode, suppressordiode bidirektional, suppressor-diode, smd z-diode, 1841109, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Zener Dioden, onsemi, SZMMBZ33VALT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Zener Diodes
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