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onsemi AEC-Q101 TVS-Diode Uni-Directional 2 Paar gemeinsame Kathode 38V 25.65V min., 3-Pin, SMD SOT-23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1841008
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MMBZ27VCLT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
SMD-Diode
Suppressor-Diode
Suppressordiode
Direction Typ = Uni-Directional
Klemmenspannung max. = 38V
Durchschlagspannung min. = 25.65V
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Höchstzulässige Pulsverlustleistung = 40W
Impulsspitzen-Strom max. = 1A
ESD Schutz = Ja
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Automobilstandard = AEC-Q101mm

SOT-23-Gehäuse ermöglicht entweder zwei getrennte unidirektionale Konfigurationen oder eine einfache bidirektionale Konfiguration Peak Reverse Spannungsbereich - 12,8 V, 22 V. Standard-Zenerdurchschlagsspannungsbereich - 15 V, 27 V Peak Power: 40 Watts @ 1,0 ms (bidirektional) ESD-Schutzart der Klasse N (über 16 kV) gemäß dem menschlichen Körpermodell Maximale Klemmspannung bei Peak Pulse Current Niedriger Leckstrom< 100 nA Mechanische Eigenschaften: Gehäuse: Vakuumfreies, umspritztes, thermoplastisches Kunststoffgehäuse Oberfläche: Korrosionsbeständige Oberfläche, leicht lötbar Maximale CASE-TEMPERATUR FÜR LÖSCHZWECKE: 260 °C für 10 Sekunden Gehäuse für optimale automatisierte Platinenmontage Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte Erhältlich in 8-mm-Band und Rolle
Weitere Informationen:
Direction Typ:
Uni-Directional
Klemmenspannung max.:
38V
Durchschlagspannung min.:
25.65V
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
SOT-23
Pinanzahl:
3
Höchstzulässige Pulsverlustleistung:
40W
Impulsspitzen-Strom max.:
1A
ESD Schutz:
Ja
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Betriebstemperatur max.:
+150 °Cmm
Automobilstandard:
AEC-Q101mm
Weitere Suchbegriffe: Z-Diode, Zenerdiode, smd diode, 1841008, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Suppressordioden TVS, onsemi, MMBZ27VCLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, TVS Diodes
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