|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1807338 Herst.-Nr.:
VS-4EWH02FN-M3 EAN/GTIN:
5059045786580 |
| |
|
| | |
| Durchlassstrom max. = 4A
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Sperrspannung max. = 200V
Gehäusegröße = TO-252AA
Pinanzahl = 3 + Tab
Diodenkapazität max. = 17pF
Betriebstemperatur min. = –65 °C
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Länge = 6.73mm
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.26mm
Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.26mm
Hyperschnelle Wiederherstellungszeit 175 °C max. Betriebstemperatur der Verbindung Ausgangsgleichrichtung Freilauf ANWENDUNGEN: Art der hyperschnellen Erholungs-Gleichrichter, die speziell für eine optimierte Leistung bei Spannungsabfall im Vorwärtsbetrieb und einer hyperschnellen Wiederherstellungszeit entwickelt wurden. Die planare Struktur und die platindotierte Lebensdauerkontrolle garantieren beste Gesamtleistung, Robustheit und Zuverlässigkeit. Diese Geräte sind für den Einsatz in der Ausgangsgleichrichtung von SMPS, USV, DC/DC-Wandlern sowie Freilaufdiode in Niederspannungsumrichtern und Chopper-Motorantrieben vorgesehen. Ihre extrem optimierte gespeicherte Ladung und der niedrige Rückgewinnungsstrom minimieren die Schaltverluste und reduzieren die Überableitung im Schaltelement und in den Klemmkörpern. Weitere Informationen: | | Durchlassstrom max.: | 4A | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 200V | Gehäusegröße: | TO-252AA | Pinanzahl: | 3 + Tab | Diodenkapazität max.: | 17pF | Betriebstemperatur min.: | –65 °C | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Länge: | 6.73mm | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.26mm | Abmessungen: | 6.73 x 6.22 x 2.26mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1807338, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, VS4EWH02FNM3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
| | |
| |