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| Artikel-Nr.:
108EL-1652705 Herst.-Nr.:
TEMD5010X01 EAN/GTIN:
5059040655386 |
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| Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 940nm
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 4
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 430nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Fallzeit typ. = 100ns
Länge = 5mm
Breite = 4.24mm
Höhe über Panel = 1.12mm
Durchschlagspannung = 60V
PIN-Fotodioden der Serie TEMD5010. Bei der TEMD5010 von Vishay Semiconductors handelt es sich um eine Silizium-PIN-Fotodiode. Sie wird in kompakten, SMD-Gehäusen geliefert und enthält einen Chip mit einer empfindliche Fläche von 7,5 mm². Die TEMD5010 erkennt sichtbare und nahe IR-Strahlung. Sie sind ideal für den Einsatz von Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor-Anwendungen.. Merkmale der TEMD5010-Fotodiode: Oberflächenmontage (SMD) obere Optik Maße: 5 x 4,24 x 1,12 Hohe Strahlungsempfindlichkeit Hohe Fotoempfindlichkeit Schnelle Ansprechzeiten Winkel für halbe Intensität: 65° Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR, Sichtbares Licht | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit: | 940nm | Verstärkerfunktion: | Nein | Anzahl der Pins: | 4 | Diodenmaterial: | Si | Wellenlänge min.: | 430nm | Wellenlänge max.: | 1100nm | Fallzeit typ.: | 100ns | Länge: | 5mm | Breite: | 4.24mm | Höhe über Panel: | 1.12mm | Durchschlagspannung: | 60V |
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| Weitere Suchbegriffe: photodiode 940nm, foto diode, 1652705, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fotodioden, Vishay, TEMD5010X01, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Photodiodes |
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