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| Artikel-Nr.:
108EL-1612170 Herst.-Nr.:
VEMD5010X01 EAN/GTIN:
5059040748217 |
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| Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 940nm
Gehäusetyp = QFN
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 4
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 430nm
Fallzeit typ. = 100ns
Länge = 5mm
Breite = 4mm
Höhe über Panel = 0.9mm
Regelanstiegszeit = 100ns
VEMD5010X01 ist eine schnelle und hochempfindliche PIN-Fotodiode. Es handelt sich um ein flaches SMD-Bauelement einschließlich Chip mit einem empfindlichen Bereich von 7,5 mm2, das sichtbare und in der Nähe befindliche IR-Strahlung erkennt.Gehäusetyp: OberflächenmontageGehäuseform: nach obenAbmessungen (L x B x H in mm): 5 x 4 x 0,9Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 7,5AEC-Q101-qualifiziertHohe FotoempfindlichkeitHohe StrahlungsempfindlichkeitGeeignet für sichtbare und in Nähe befindliche IR-StrahlungSchnelle AnsprechzeitenHalbwertswinkel: ϕ = ± 65°Lagerhaltbarkeit: 72 h, MSL 4, gemäß J-STD-020ANWENDUNGEN:Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit: | 940nm | Gehäusetyp: | QFN | Verstärkerfunktion: | Nein | Anzahl der Pins: | 4 | Diodenmaterial: | Si | Wellenlänge min.: | 430nm | Fallzeit typ.: | 100ns | Länge: | 5mm | Breite: | 4mm | Höhe über Panel: | 0.9mm | Regelanstiegszeit: | 100ns |
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| Weitere Suchbegriffe: photodiode 940nm, foto diode, 1612170, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fotodioden, Vishay, VEMD5010X01, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Photodiodes |
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