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| Artikel-Nr.: 102-563917-BP Herst.-Nr.: SS9018HBU EAN/GTIN: k.A. |
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| ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) SS9018HBU TO-226-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Transistor
Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 97 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-226-3 · Hersteller: ON Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 15 V · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: HF-Transistor (BJT) · Transitfrequenz f(T): 1.1 GHz · Typ (Hersteller-Typ): SS9018HBU · VCE Sättigung (max.): 500 mV
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | ON Semiconductor | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | ON Semiconductor | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-226-3 | Ausführung (Transistoren): | NPN | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS | Typ (Hersteller-Typ): | SS9018HBU | Montageart: | Durchführungsloch | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 15 V | Collector-Strom I(C): | 50 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | 1 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | 5 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 97 | Leistung (max) P(TOT): | 400 mW | Transitfrequenz f(T): | 1.1 GHz | VCE Sättigung (max.): | 500 mV | Produkt-Art: | HF-Transistor (BJT) |
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