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  semikron  (1.889 Angebote unter 27.908.568 Artikeln)

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Semikron IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 422 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Dual Montage-Typ = Schraubmontage Channel-Typ = N Pi...
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ab € 181,57*
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Semikron IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal (1 Angebot) 
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ab € 187,93*
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Semikron IGBT-Modul / 469 A 20V max., 1200 V, 11-Pin SEMiX®3p N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 469 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Konfiguration = Serie Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 11 Transistor-Konfiguration...
Semikron
SEMiX303GB12E4p
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Semikron IGBT-Modul / 616 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 616 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Dual Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Tran...
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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ab € 540,28*
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Semikron IGBT-Modul / 616 A 20V max. Dual, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal (1 Angebot) 
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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