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  N-Kanal-Transistoren SMD (769 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 277A; Idm: 500A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 277A Widerstand im Leitungszustand: 2,14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W Polarisieru...
Vishay
SIJH5100E-T1-GE3
ab € 7.352,82*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27A; Idm: 50A; 43W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung...
Vishay
SIS892DN-T1-GE3
ab € 0,68*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28,2A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 28,2A Widerstand im Leitungszustand: 20,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33,3W Polaris...
Vishay
SIS606BDN-T1-GE3
ab € 0,546*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SISS40DN-T1-GE3
ab € 0,411*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSOP6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 3,8A Widerstand im Leitungszustand: 126mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,33W Polarisierung: unipo...
Vishay
SI3474DV-T1-GE3
ab € 0,188*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31,2A; Idm: 80A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 31,2A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisieru...
Vishay
SISS42LDN-T1-GE3
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32,4A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 32,4A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisieru...
Vishay
SISS42DN-T1-GE3
ab € 0,627*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD35N10-26P-E3
ab € 1.541,06*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD35N10-26P-GE3
ab € 2.653,18*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD35N10-26P-BE3
ab € 2.649,04*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36,2A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 36,2A Widerstand im Leitungszustand: 14,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisie...
Vishay
SISS46DN-T1-GE3
ab € 0,673*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44,5W Polarisierung:...
Vishay
SIR606DP-T1-GE3
ab € 2.759,07*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38,7A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 38,7A Widerstand im Leitungszustand: 20,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisier...
Vishay
SIR606BDP-T1-RE3
ab € 0,551*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierun...
Vishay
SIR876ADP-T1-GE3
ab € 0,655*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR108DP-T1-RE3
ab € 2.733,63*
pro 3.000 Stück
 
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