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  N-Kanal-Transistoren SMD (354 Artikel)

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Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x6 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 192W Polar...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
ab € 2,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 1,4mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK208-O(TE85L,F)
ab € 0,167*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 14mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK209-BL(TE85L,F)
ab € 0,20*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannu...
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,133*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
ab € 0,113*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: H2PAK7 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,115Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...
ST Microelectronics
STH30N65DM6-7AG
ab € 2,81*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 2,2A; Idm: 14A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisierun...
ST Microelectronics
STD5N95K5
ab € 1,02*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisierung...
ST Microelectronics
STD6N95K5
ab € 1,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5,6A; Idm: 36A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisier...
ST Microelectronics
STB11N65M5
ab € 1,11*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
ab € 19,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19SVRG
ab € 12,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19SVFRG
ab € 14,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisieru...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001RSVRG
ab € 18,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVRG
ab € 11,63*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
ab € 12,96*
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