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  N-Kanal-Transistoren SMD (440 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 334A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 680W...
IXYS
MMIX1F420N10T
ab € 34,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 235A Widerstand im Leitungszustand: 4,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 680W...
IXYS
MMIX1F360N15T2
ab € 34,75*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 200V; 156A; Idm: 630A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 156A Widerstand im Leitungszustand: 8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
IXYS
MMIX1F230N20T
ab € 33,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 250V; 132A; Idm: 500A (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 132A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W ...
IXYS
MMIX1F180N25T
ab € 30,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W ...
IXYS
MMIX1F160N30T
ab € 33,53*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 600A Widerstand im Leitungszustand: 1,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
MMIX1T600N04T2
ab € 25,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 550A Widerstand im Leitungszustand: 1,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
MMIX1T550N055T2
ab € 34,82*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
MMIX1F520N075T2
ab € 14,98*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W ...
IXYS
IXTT75N10L2
ab € 10,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 710ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W...
IXYS
IXTT30N60L2
ab € 12,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
ab € 19,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19SVRG
ab € 12,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19SVFRG
ab € 14,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisieru...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001RSVRG
ab € 18,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVRG
ab € 11,63*
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