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  IGBT-Module (1.136 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Elektrische Mont...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
€ 32,16*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GR120JD30
€ 57,01*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 240A V...
IXYS
IXGN50N120C3H1
€ 52,79*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 56A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA60IF1200NA
€ 38,20*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GN120JDQ3
€ 71,99*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3
€ 72,27*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GP120J
€ 68,96*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GP120JDQ3
€ 66,92*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12T4 22892110
€ 332,48*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
€ 675,15*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA126D 22890405
€ 426,51*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12E4 22892114
€ 330,88*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12V 22892113
€ 361,01*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
€ 171,92*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; IGBTMOD™ (1 Angebot) 
Hersteller: POWEREX Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA Elektrische M...
Powerex
CM600HB-24A
€ 199,62*
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