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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12E4 22892124
€ 223,99*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12V 22892123
€ 217,44*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12T4 22892120
€ 159,56*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 34A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT45GP120JDQ2
€ 48,65*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 34A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT45GP120J
€ 63,42*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12T4 22892100
€ 243,00*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12E4 22892104
€ 255,53*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GA12V 22892103
€ 288,76*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA126D 21915720
€ 364,64*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; AG-62MM (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom...
Infineon
FZ400R12KS4HOSA1
€ 141,25*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; D59 (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA125D 21915560
€ 431,41*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT40GF120JRD
€ 67,09*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT40GF120JRDQ2
€ 65,08*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom im Impuls: 380A V...
IXYS
IXYN82N120C3
€ 54,29*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Elektrische Monta...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
€ 32,48*
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