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Infineon IMBG65R022M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 64 A, 7-Pin TO-263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 64 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-263-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IMBG65R022M1HXTMA1
ab € 8.645,61*
pro 1.000 Stück
Infineon IPDQ60R010S7 IPDQ60R010S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 22-Pin QDPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = IPDQ60R010S7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 22 Drain-Source-Widerstand max. = 0,01 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
Infineon
IPDQ60R010S7XTMA1
ab € 8.423,40*
pro 750 Stück
Infineon CoolMOS™ CFD7 IPL60R060CFD7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 40 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = CoolMOS™ CFD7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1
ab € 8.362,80*
pro 3.000 Stück
STMicroelectronics MDmesh M5 STL36N55M5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22 A 2,8 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = MDmesh M5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Channel-Modus = Enhancement Ga...
ST Microelectronics
STL36N55M5
ab € 8.332,50*
pro 3.000 Stück
Infineon OptiMOS™ BSC021N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 226 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 226 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = OptiMOS™ Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC021N08NS5ATMA1
ab € 8.080,00*
pro 5.000 Stück
Vishay SIRS4600DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 334 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 334 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIRS4600DP-T1-RE3
ab € 8.029,50*
pro 3.000 Stück
Infineon DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 375 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = DirectFET, HEXFET Montage-Typ = SMD Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Verlust...
Infineon
IRF7749L1TRPBF
ab € 7.878,00*
pro 4.000 Stück
Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30,8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 109 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
Toshiba
TK31V60W5
ab € 7.827,50*
pro 2.500 Stück
onsemi NTH4L020N090SC1 N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 116 A, 4-Pin TO-247-4L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 116 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Gehäusegröße = TO-247-4L Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
onsemi
NTH4L020N090SC1
ab € 7.712,874*
pro 450 Stück
onsemi NVMTS1D2N08H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 337 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
onsemi
NVMTS1D2N08H
ab € 7.635,63*
pro 3.000 Stück
Infineon OptiMOS™ ISC011N06LM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 288 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = OptiMOS™ Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00115 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1
ab € 7.575,00*
pro 5.000 Stück
Toshiba TPH1R306PL TPH1R306PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A, 8-Pin SOP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TPH1R306PL Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 2.3 Ω Channel-Modus = Enhancement G...
Toshiba
TPH1R306PL,L1Q(M
ab € 7.524,50*
pro 5.000 Stück
Infineon HEXFET IRF7769L1TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 124 A Direkte FET, große Dose (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 124 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = Direkte FET, große Dose Montage-Typ = THT
Infineon
IRF7769L1TRPBF
ab € 7.514,40*
pro 4.000 Stück
Vishay SIJH5100E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 277 A, 4-Pin 8 x 8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 277 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = 8 x 8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIJH5100E-T1-GE3
ab € 7.453,62*
pro 2.000 Stück
ROHM SCT SCT3080AW7TL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 29 A, 7-Pin TO-263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = SCT Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 80 mO Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V A...
ROHM Semiconductor
SCT3080AW7TL
ab € 7.383,11*
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