Transistor  (12.747 Angebote unter 27.960.530 Artikeln)Zum Expertenwissen

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -6 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 T...

IGBT, IXGH36N60B3, LITTELFUSE Mittelschneller PT-IGBT mit niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge von 5-40 kHz, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leistu...

Quellstrom: 1.5 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: µHVIC Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s) Sinkstrom: 1.5 ...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 65 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transi...

IGBT, IXGH40N120A2, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit internationalem Standardgehäuse, niedriger VCE(sat) für minimale Leitungsverluste im Einschaltzustand und einfacher MOS-Gate-Einschaltsteue...

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 1.2 kA IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sätt...

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

IGBT, IXGH40N120B2D1, LITTELFUSE Hochspannungs-IGBT mit einer expitaktischen Diode mit schneller Erholung (FRED) und weicher Erholung mit niedrigem IRM und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte u...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1 V Kontinuierlicher Kollek...

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXGH48N60A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vortei...

Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –5 A Kollektor-Emitter-Spannung = -25 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 45 T...

IGBT, IXGH48N60A3D1, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vort...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V Kontinuierlicher ...