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  microchip  (22.482 Angebote unter 30.776.287 Artikeln)

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Modul: Diodenl; einzelne Diode; 600V; 450A; LP4C; schraubbar; FRED (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: LP4C Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsstrom: 450A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Elektrische Montage: schraubbar Mechanische Montage: schraubbar ...
Microchip Technology
APTDF450U60G
€ 106,41*
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Modul; Diode/Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 164A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Ele...
Microchip Technology
APT5010JLLU2
€ 48,39*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GR120JD30
€ 56,85*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
Microchip Technology
APT100GLQ65JU2
€ 47,01*
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Modul; Diode/Transistor; 500V; 43A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 270A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Ele...
Microchip Technology
APT58M50JCU2
€ 56,33*
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Modul: WiFi; 19dBm; IEEE 802.11b/g/n; 54Mbps; 2,412÷2,427GHz; Tray (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Betriebstemperatur: -40...85°C Versorgungsspannung: 3...3,6V DC Frequenz: 2,412...2,427GHz Datenübertragungsgeschwindigkeit: 54Mbps Verpackungs-Art: Tray Passendes ...
Microchip Technology
RNWF02PE-I/100
€ 7,43*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT75GT120JRDQ3
€ 71,97*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Im...
Microchip Technology
APT40GL120JU3
€ 41,82*
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Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 250W Elekt...
Microchip Technology
APTCV60HM45BT3G
€ 152,63*
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100%
Modul: WiFi; 19dBm; IEEE 802.11b/g/n; SDIO,SPI; 54Mbps; Tray (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Betriebstemperatur: -40...85°C Versorgungsspannung: 3...3,6V DC Frequenz: 2,412...2,427GHz Schnittstelle: SPI;SDIO Datenübertragungsgeschwindigkeit: 54Mbps Verpacku...
Microchip Technology
WINCS02PE-I/100
€ 7,77*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GF120JRDQ3
€ 130,41*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Im...
Microchip Technology
APT50GT120JU3
€ 44,93*
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Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 165W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 16...
Microchip Technology
MSC080SMA120J
€ 42,96*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 67A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT100GT120JRDQ4
€ 94,00*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
Microchip Technology
APT100GLQ65JU3
€ 35,46*
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