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Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-APTCV60HM45BT3G
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     APTCV60HM45BT3G
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gehäuse: SP3F
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 38A
Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ
Verlustleistung: 250W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: CoolMOS™;Trench;Field Stop
Gate-Source Spannung: ±20V
Topologie: NTC Thermistor;Brücke H;boost chopper
Drainstrom im Impuls: 130A
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