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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-APT75GT120JRDQ3
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     APT75GT120JRDQ3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 57A
Kollektorstrom im Impuls: 300A
Verpackungs-Art: Tube
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: POWER MOS 7®;NPT
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