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Samsung MZ-V8P2T0BW Internes Solid State Drive M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe


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Produktinformationen
Samsung MZ-V8P2T0BW Internes Solid State Drive M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Samsung MZ-V8P2T0BW Internes Solid State Drive M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Samsung MZ-V8P2T0BW Internes Solid State Drive M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Artikel-Nr.:
     C1134D-MZ-V8P2T0BW
Hersteller:
     Samsung
Herst.-Nr.:
     MZ-V8P2T0BW
EAN/GTIN:
     8806090696534
Suchbegriffe:
Internal Hard Drives
Interne Festplatte
internal HDD
interne Festplatten
Weitere Informationen:
Betriebstemperatur:
0 - 70 °C
Maximale Betriebstemperatur:
70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb:
1500 G
Arbeitsspannung:
3.3 V
Stromverbrauch (max.):
7.2 W
Stromverbrauch (durchschnittl.):
6.1 W
Stromverbrauch (Standby):
0.035 W
Warentarifnummer (HS):
84717070
SSD-Formfaktor:
M.2
SSD Speicherkapazität:
2000 GB
Schnittstelle:
PCI Express 4.0
Speichertyp:
V-NAND MLC
NVMe:
Ja
Komponente für:
PC/Laptop
Hardwareverschlüsselung:
Ja
NVMe Version:
1.3c
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
256-bit AES
Lesegeschwindigkeit:
7000 MB/s
Schreibgeschwindigkeit:
5100 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB):
1000000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB):
1000000 IOPS
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes:
x4
S.M.A.R.T. Unterstützung:
Ja
TRIM-Unterstützung:
Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
1500000 h
Breite:
80.15 mm
Tiefe:
2.38 mm
Höhe:
22.15 mm
Gewicht:
9 g
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