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Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3, MJ4035

Menge:

Stück

Produktinformationen

Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3, MJ4035

Artikel-Nr.:
4502-24S4006

Hersteller:
COMSET Semiconductors

Herst.-Nr.:
MJ4035

EAN/GTIN:
4099879029546

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungstransistor
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NPN-Leistungstransistor, MJ4035, COMSET Der NPN-Leistungstransistor MJ4035 auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration ist im TO-3-Metallgehäuse von Jedec untergebracht. Er ist für den Einsatz als Ausgangsbauelement in komplementären Allzweckverstärkeranwendungen vorgesehen. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Weitere Informationen:


Ausführung:	NPN
Gehäuse:	TO-3
max. Temperatur:	200 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:	100 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:	100 V
min. Temperatur:	-65 °C
Montage:	THT
Nennstrom:	16 A
Sättigungsspannung:	2.5 V
Verlustleistung VA (AC):	150 W
Kollektorstrom:	16 A
min. Gleichstromverstärkung:	1000 mA
Ursprungsland:	CN
Gewicht:	0.01295 kg
SVHC frei:	Ja
RoHS konform:	Ja