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Bipolartransistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, BDX53C


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Produktinformationen
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, BDX53C
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, BDX53C
Artikel-Nr.:
     4502-15S6050
Hersteller:
     COMSET Semiconductors
Herst.-Nr.:
     BDX53C
EAN/GTIN:
     4099879028648
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Darlingtontransistor
NPN-Transistor, BDX53C, COMSET Der BDX53C ist ein NPN-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration, der in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse untergebracht ist. Er ist für den Einsatz in Audioverstärkern, linearen Anwendungen mittlerer Leistung und Schaltanwendungen vorgesehen. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Gehäuse:
TO-220
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
100 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
100 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
THT
Nennstrom:
8 A
Sättigungsspannung:
2 V
Transitfrequenz fTmin:
20 MHz
Verlustleistung VA (AC):
60 W
Kollektorstrom:
8 A
min. Gleichstromverstärkung:
750 mA
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.002372 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Darlington-Transistor, Bipolarer Transistor
Die Konditionen im Überblick1
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