Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK)

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
139-2536881

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPD042P03L3GATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 7 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 150 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, MOSFET, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPD042P03L3GATMA1, 2536881, 253-6881

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