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| Artikel-Nr.:
108EL-9128306 Herst.-Nr.:
BPX 65 EAN/GTIN:
5059041361897 |
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| Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = TO18
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 350nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Fallzeit typ. = 0.012µs
Breite = 5.5mm
Durchmesser = 4.8mm
Polarität = Plus
PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse. Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.. Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode: Metallzylindergehäuse TO-18 Durchgangsbohrung Wellenlänge: 350 bis 1100 nm Kurze Schaltzeit Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit: | 850nm | Gehäusetyp: | TO18 | Verstärkerfunktion: | Nein | Anzahl der Pins: | 2 | Diodenmaterial: | Si | Wellenlänge min.: | 350nm | Wellenlänge max.: | 1100nm | Fallzeit typ.: | 0.012µs | Breite: | 5.5mm | Durchmesser: | 4.8mm | Polarität: | Plus |
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| Weitere Suchbegriffe: photodiode 850nm, foto diode, 9128306, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fotodioden, ams OSRAM, BPX65, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Photodiodes |
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