OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO-52-Gehäuse 3-Pin

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 800nm
Gehäusetyp = TO-52
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 3
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 600nm
Höhe über Panel = 3.25mm
Spitzenphotosensibilität = 50A/W
Polarität = Umgekehrt

Fotodioden der Serie APD 8-150 von OSI mit Silizium-Stoßentladung. Bei der APD-Serie 8-150 von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Produktfamilie von Silizium-Stoßentladungs-Fotodioden, optimiert für den Betrieb mit 800 nm Wellenlängen. Sie werden in hermetisch versiegelten Metallgehäusen mit Durchmesseroptionen der aktiven Fläche von 0,2, 0,5, 1 oder 1,5 mm geliefert. Die Fotodioden der APD-Serie 8-150 bieten rauscharmes Verhalten und hohe Empfindlichkeit über Bandbreiten bis zu 1 GHz. Geeignete Anwendungen für die Fotodioden der Serie APD 8-150 umfassen die faseroptische Kommunikation, Laserentfernungsmesser und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.. Merkmale der APD-Serie 8-150: Gehäuse: TO-52 und TO-5 Niedriger Temperaturkoeffizient: 0,45 V/°C Hohe Empfindlichkeit Rauscharm Große Bandbreite Betriebstemperatur: –40 °C bis +100 °C