OSI Optoelectronics Fotodiode UV 720nm Si, THT TO8-Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = UV
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 720nm
Gehäusetyp = TO8
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Höhe über Panel = 5.21mm
Spitzenphotosensibilität = 0.14A/W
Polarität = Umgekehrt

Fotodioden der Serie UV Enhanced von OSI. Bei der Serie UV Enhanced von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Serie von Silizium-Fotodioden mit verbesserter UV-Empfindlichkeit. Diese Serie umfasst zwei separate Produktfamilien von Fotodioden: Inversionskanal- und planare diffuse Struktur. Beide Familien sind für rauscharme Erkennung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums ausgelegt. Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität. Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden. Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.. Merkmale der Serie UV Enhanced: Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden Ausgezeichnetes UV-Ansprechen