ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = T1.3/4
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 400nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 5.9mm
Breite = 5mm
Höhe über Panel = 5mm
Spitzenphotosensibilität = 0.62A/W
Polarität = Positiv

PIN-Fotodioden - 5 mm (T-1 3/4) Gehäuse. Diese Familie von Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in 5 mm (T-1 3/4) -Standardgehäusen mit Durchgangsbohrung. Sie sind für die Erfassung entweder des vollen Spektrums oder von sichtbarem Licht ausgelegt und werden in durchsichtigen Gehäusen geliefert. Fotodioden mit Tageslichtfilter-Option zum Blockieren von sichtbarem Umgebungslicht sind erhältlich. Geeignete Anwendungen für die 5-mm-PIN-Fotodioden: Hochgeschwindigkeits-Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs/Treiberschaltungen.. 5 mm (T-1 3/4) Gehäuse Gehäuse aus transparentem Kunststoff Durchgangsbohrungsmontage Strahlungsempfindliche Fläche: 1 x 1 mm² Verschiedene Öffnungswinkel Wellenlängenbereich: 400 bis 1100 nm Kurze Schaltzeit