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| Artikel-Nr.:
108EL-5444629 Herst.-Nr.:
BYQ28E-200,127 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AB
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Kathode
Gleichrichter-Typ = Universal
Diode Typ = Ultraschneller Gleichrichter
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 1.25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 25ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 55A
Gleichrichterdioden, WeEn Semiconductors Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AB | Dauer-Durchlassstrom max.: | 10A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Kathode | Gleichrichter-Typ: | Universal | Diode Typ: | Ultraschneller Gleichrichter | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.25V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 25ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 55A |
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| Weitere Suchbegriffe: 5444629, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, WeEn Semiconductors Co., Ltd, BYQ28E200,127, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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