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STMicroelectronics THT Schottky Diode , 30V / 1A, 2-Pin DO-41


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-4858948
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     1N5818
EAN/GTIN:
     5059042302349
Suchbegriffe:
Diode
Gleichrichterdiode
Schottky Diode
st microelectronics schottky diode
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = DO-41
Dauer-Durchlassstrom max. = 1A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 30V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 550mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Durchmesser = 2.71mm
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 25A

Schottky-Leistungsgleichrichter 1N5817/8/9 von STMicroelectronics mit niedrigem Spannungsabfall. 1N5817, 1N5818 und 1N5819 von Vishay sind eine Familie von 1-A-Schottky-Gleichrichterdioden mit niedrigem Spannungsabfall. Sie wurden für Schaltnetzteile und Hochfrequenz-DC-DC-Wandler entwickelt. Leistungsmerkmale: Schnelle Schaltgeschwindigkeit Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung Geringer Leitungsverlust Sehr geringer Schaltverlust Wo werden sie verwendet? 1N5817–1N5819 sind für Niederspannungs-Hochfrequenz-Wechselrichter, Freilauf, Verpolschutz und kleine Ladegeräte konzipiert. Wie lautet die Betriebstemperatur am Übergang? –65 °C bis +150 °C Lieferbare Versionen: 1N5817 – 20 V 1N5818 – 30 V 1N5819 – 40 V
Weitere Informationen:
Montage-Typ:
THT
Gehäusegröße:
DO-41
Dauer-Durchlassstrom max.:
1A
Spitzen-Sperrspannung periodisch:
30V
Diodenkonfiguration:
Einfach
Gleichrichter-Typ:
Schottky-Diode
Diode Typ:
Schottky
Pinanzahl:
2
Maximaler Spannungsabfall:
550mV
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Diodentechnologie:
Schottky
Durchmesser:
2.71mm
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch:
25A
Weitere Suchbegriffe: gleichrichterdiode, 4858948, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, 1N5818, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers
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