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| Artikel-Nr.: 108EL-2207466 Herst.-Nr.: IPZA60R060P7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 151 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,06 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Serie = CoolMOS P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 151 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,06 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2207466, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IPZA60R060P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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