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| Artikel-Nr.:
108EL-2186676 Herst.-Nr.:
V12P22-M3/H EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SmPC (TO-277A)
Dauer-Durchlassstrom max. = 12A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Der oberflächenmontierte TMBS ® -Gleichrichter mit hoher Stromdichte von Vishay (Trench MOS Barrier Schottky) mit extrem niedrigem VF beträgt 0,60 V bei IF ist 6 für den Einsatz in Hochspannungs-Hochfrequenzwechselrichtern, Freilauf, DC/DC-Wandlern und Polaritätsschutzanwendungen.Sehr flache Bauweise, typische Höhe von 1,1 mm Ideal für automatische Bestückung Trench-MOS-Schottky-Technologie Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung, geringe Leistungsverluste Betrieb mit hohem Wirkungsgrad Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SmPC (TO-277A) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 12A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky |
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| Weitere Suchbegriffe: vishay diode, smd diode, 2186676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Vishay, V12P22M3H, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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