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| Artikel-Nr.: 108EL-2183128 Herst.-Nr.: IRLR2703TRPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 23 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,045 Ω, 0,065 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1V Transistor-Werkstoff = Si Serie = HEXFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,045 Ω, 0,065 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 2183128, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRLR2703TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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