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| Artikel-Nr.: 108EL-2183098 Herst.-Nr.: IRF6215STRLPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,29 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4V Transistor-Werkstoff = Si Serie = HEXFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,29 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 2183098, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRF6215STRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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