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| Artikel-Nr.: 108EL-2152607 Herst.-Nr.: IRLR2905TRLPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,027 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 42 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,027 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2152607, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRLR2905TRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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