Infineon HEXFET IRF6785MTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 200 V in einem DirectFET MZ-Gehäuse, das für 19 Ampere ausgelegt ist und einen niedrigen Einschaltwiderstand aufweist. Dieser digitale Audio-MOSFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus sind Gate-Ladung, Gehäuse-Diode-Rückgewinnung und interner Gate-Widerstand optimiert, um die wichtigsten Leistungsfaktoren des Klasse-D-Audioverstärkers wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Das IRF6785MPbF-Gerät nutzt die DirectFETTM-Verpackungstechnologie. Die DirectFETTM-Verpackungstechnologie bietet eine geringere parasitäre Induktivität und einen geringeren Widerstand im Vergleich zu herkömmlichen, drahtgebundenen SOIC-Gehäusen.Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie Wichtige Parameter optimiert für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen Zweiseitige Kühlung kompatibel Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)