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| Artikel-Nr.:
108EL-2144470 Herst.-Nr.:
IRL520NSTRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,18 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,18 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 2144470, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRL520NSTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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