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| Artikel-Nr.:
108EL-1714754 Herst.-Nr.:
RFN30TS6DGC11 EAN/GTIN:
5059043231006 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-247
Dauer-Durchlassstrom max. = 30A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 600V
Gleichrichter-Typ = Fast Recovery
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 1.55V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 55ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 120A
Die RFN30TS6D ist eine epitaxiale planare Standard-Siliziumdiode mit schneller Erholung.Niedrige Durchlassspannung Geringe Schaltverluste Hohe Stromüberlastbarkeit Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-247 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 30A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 600V | Gleichrichter-Typ: | Fast Recovery | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.55V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 55ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 120A |
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| Weitere Suchbegriffe: 1714754, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, ROHM, RFN30TS6DGC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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