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| Artikel-Nr.:
108EL-1689649 Herst.-Nr.:
BAP51-06W,115 EAN/GTIN:
5059041353168 |
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| Diodenkonfiguration = Gemeinsame Anode
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Durchlassstrom max. = 50mA
Sperrspannung max. = 50V
Ladungsträgerlebensdauer = 0.55µs
Durchlassspannung max. = 1.1V
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = UMT
Pinanzahl = 3
Diodenkapazität max. = 0.35pF
Reihenwiderstand max. @ max. IF = 2.5 Ω@ 10 mA
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Höhe = 1mm
Länge = 2.2mm
Betriebstemperatur min. = –65 °C
PIN-Dioden, NXP Semiconductors. Eine Vielzahl von PIN-Dioden, die geeignet ist für den Einsatz in HF-Schaltungen und Dämpfungsgliedanwendungen. Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Anode | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Durchlassstrom max.: | 50mA | Sperrspannung max.: | 50V | Ladungsträgerlebensdauer: | 0.55µs | Durchlassspannung max.: | 1.1V | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | UMT | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 0.35pF | Reihenwiderstand max. @ max. IF: | 2.5 Ω@ 10 mA | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm | Höhe: | 1mm | Länge: | 2.2mm | Betriebstemperatur min.: | –65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1689649, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, pin-Dioden, NXP, BAP5106W,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, PIN Diodes |
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