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Infineon BAR63-04 (1 Angebot)
Infineon
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ab € 0,0993*
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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul 3 A 6.5V 16-Pin PG-DSO-16 30ns (2 Angebote) 
Ausgangsstrom = 3 A Versorgungsspannung = 6.5V Pinanzahl = 16 Gehäusegröße = PG-DSO-16ns
Infineon
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Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 32-Pin (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 128.000 x 8 Bit Anzahl der Wörter = 128k Anzahl der Bits pro Wort = 8bit Zugriffszeit max. = 10ns Adressbusbreite = 8bit Taktfrequenz = 1MHz Timing Typ = Asymm...
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Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB (2 Angebote) 
Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstempe...
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Infineon 1MBit SRAM 64k, 16bit / Wort (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 64 K x 16 Anzahl der Wörter = 64k Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Infineon
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INFINEON 2ED21814S06JXUMA1 MOSFET-TREIBER, -40 BIS 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: 2.5 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 2.5 A Treiberkonfigurat...
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Infineon 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 128K x 8 Anzahl der Wörter = 128k Anzahl der Bits pro Wort = 8bit Zugriffszeit max. = 10ns
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Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 44-Pin (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 64 k x 16 Bit Anzahl der Wörter = 64k Anzahl der Bits pro Wort = 16bit Zugriffszeit max. = 10ns Adressbusbreite = 16bit Taktfrequenz = 1MHz Timing Typ = Asymme...
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Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3 (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 166 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
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Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 44-Pin (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 64 k x 16 Bit Anzahl der Wörter = 64k Anzahl der Bits pro Wort = 16bit Zugriffszeit max. = 10ns Adressbusbreite = 16bit Taktfrequenz = 1MHz Timing Typ = Asymme...
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Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 32-Pin (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 128.000 x 8 Bit Anzahl der Wörter = 128k Anzahl der Bits pro Wort = 8bit Zugriffszeit max. = 10ns Adressbusbreite = 8bit Taktfrequenz = 1MHz Timing Typ = Asymm...
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Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
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Infineon 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort (1 Angebot) 
Speicher Größe = 1MBit Organisation = 128 K x 8 Anzahl der Wörter = 128k Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Infineon
CY7C109D-10VXI
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INFINEON BAS4005E6433HTMA1 SCHOTTKY-DIODE, AEC-Q101, 40V, SOT-23 (2 Angebote) 
Durchlassstoßstrom: 200 mA Produktpalette: BAS40 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Betriebstemperatur, max.: 150 °C Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40...
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BAS4005E6433HTMA1
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Diode: Schaltdiode; SMD; 50V; 0,14A; SOT143; 210mW; Rolle,Band (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SOT143 Rückspannung max.: 50V Vorwärtsstrom: 0,14A Struktur des Halbleiters: Brückengleichrichter Verlustleistung: 0,21W Verpackungs-Art: Ban...
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