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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.652 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W...
IXYS
IXTT110N10P
ab € 4,50*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
IXYS
IXTT140N10P
ab € 5,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
IXYS
IXTA75N10P
ab € 2,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
IXYS
IXFT120N15P
ab € 5,93*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 350W ...
IXYS
IXTA62N15P
ab € 2,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 96A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
IXYS
IXTT96N15P
ab € 4,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
IXYS
IXTA50N20P
ab € 2,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 160ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 74A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
IXYS
IXTT74N20P
ab € 4,34*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 42A; 300W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 84mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W ...
IXYS
IXTA42N25P
ab € 2,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W ...
IXYS
IXTT64N25P
ab € 4,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO268 (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...
IXYS
IXTT82N25P
ab € 7,26*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W...
IXYS
IXTA36N30P
ab € 2,31*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 560ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 3,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W...
IXYS
IXTA4N80P
ab € 1,33*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W...
IXYS
MMIX1F40N110P
ab € 45,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 0,8A; 50W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 0,8A Widerstand im Leitungszustand: 25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W ...
IXYS
IXTA08N120P
ab € 1,96*
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