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  N-Kanal-Transistoren SMD (584 Artikel)

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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A (2 Angebote) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
ab € 7,77*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-DSO-20 Gatestrom: 20mA Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-JFET Verlustleist...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
ab € 18,10*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 76W ...
Infineon
IPDD60R190G7XTMA1
ab € 1,20*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W ...
Infineon
IPDD60R150G7XTMA1
ab € 1,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 120...
Infineon
IPDD60R125G7XTMA1
ab € 1,91*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,102Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 139...
Infineon
IPDD60R102G7XTMA1
ab € 2,54*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 174W ...
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
ab € 3,20*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-HDSOP-10-1 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 278W ...
Infineon
IPDD60R050G7XTMA1
ab € 4,68*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TDSON-8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 0,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Po...
Infineon
IAUC120N04S6L008ATMA1
ab € 0,959*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3-313 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W ...
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
ab € 0,44*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3-313 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71W ...
Infineon
IPD90N04S404ATMA1
ab € 0,487*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 2,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 188W Po...
Infineon
IPB120N06S402ATMA2
ab € 1,27*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polar...
Infineon
IPD50N06S4L12ATMA2
ab € 0,36*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 214W Po...
Infineon
IPB100N04S303ATMA1
ab € 1,13*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 11A; Idm: 38A; 127W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 127W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120E
ab € 5,73*
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